特許
J-GLOBAL ID：200903044904377492

分子線エピタキシを利用したバッファ層の成長方法

発明者：
フーパー, スチュアート エドワード

フーパー, スチュアート エドワード について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-521264
公開番号（公開出願番号）：特表2001-523633
出願日： 1998年11月13日
公開日（公表日）： 2001年11月27日
要約：
【要約】第III-V族の窒化物バッファ層を、異なる材料で形成された基板上に分子線エピタキシによって成長させ、基板の材料と基板上に成長させる更なる層の材料との格子不整合を補償する方法が提供される。この方法は、エピタキシャル成長に適した減圧下で、上昇した温度で、真空チャンバ内に基板を配置する工程と、基板に窒素を供給する窒素前駆体種を含む、エピタキシャル成長において用いられる種を、真空チャンバに供給して、基板上でのバッファ層のエピタキシャル成長を引き起こす工程とを含む。上昇した温度は、300°C〜800°Cの範囲内であり、基板への窒素の供給速度は、基板上に、2000Å未満の均一な厚みを有する第III-V族の窒化物バッファ層のエピタキシャル成長を、2〜10μm/時間の範囲の成長速度で引き起こすような供給速度である。
請求項（抜粋）：
第III-V族窒化物バッファ層を、異なる材料で形成された基板上に分子線エピタキシによって成長させ、該基板の材料と該基板上に成長させる更なる層の材料との格子不整合を補償する方法であって、 エピタキシャル成長に適した減圧下で、上昇した温度で、真空チャンバ内に該基板を配置する工程と、 該基板に窒素を供給する窒素前駆体種を含む、該エピタキシャル成長において用いられる種を、該真空チャンバに供給して、該基板上での該バッファ層のエピタキシャル成長を引き起こす工程と、 を含み、 該上昇した温度が、300°C〜800°Cの範囲内であり、該基板への窒素の供給速度が、該基板上に、2000Å未満の均一な厚みを有する該第III-V族窒化物バッファ層のエピタキシャル成長を、2〜10μm/時間の範囲の成長速度で引き起こすような供給速度である、方法。
IPC (3件)：
C30B 23/08 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/203
FI (3件)：
C30B 23/08 M ,  C30B 29/40 502 K ,  H01L 21/203 M
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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