特許
J-GLOBAL ID：200903053624856424
研磨方法および半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-224955
公開番号（公開出願番号）：特開平9-069501
出願日： 1995年09月01日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：
【要約】【課題】 研磨方法および半導体装置の製造方法に関し、埋め込み配線、プラグ等を形成するために導電材料や絶縁材料を研磨する際に確実に研磨を停止できる研磨ストッパを実現する手段を提供する。【解決手段】 基板1の上に形成したTiN膜2を研磨装置3により、MnO2を含む研磨剤6を用いて5分間程度研磨した場合、その研磨前後における、4探針抵抗測定装置8によって測定したTiN膜2のシート抵抗(R2 -R1 )が実質的に変化しないという知見に基づき、MnO2 を含む研磨剤を用い、TiNを研磨ストッパとして、タングステン、銅、アルミニウムおよびその合金あるいはSiO2 等の材料を研磨する。MnO2 にAl2 O3 あるいはSiO2 を添加することによってTiNを研磨することができる。この研磨方法を用いて、配線、プラグ、シャロートレンチを形成することができる。
請求項（抜粋）：
MnO2 を含む研磨剤を用い、高融点金属のちっ化物をストッパとしてタングステン、銅、アルミニウムおよびその合金あるいはSiO2 を研磨することを特徴とする研磨方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
H01L 21/304 321 M
, H01L 21/304 321 S
