特許
J-GLOBAL ID：200903053665021710

半導体装置の製造方法

発明者：
大川 誠

大川 誠 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-326932
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144059
出願日： 1999年11月17日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：
【要約】【課題】 研磨中にSOI層の厚み測定が行えるようにする。【解決手段】 SOI基板1が貼り付けられる貼り付け面2aと、SOI基板1の貼り付けられる側の表面を露呈する窓部2bとを有してなるウェハ保持ヘッド2と、貼り付け面2aと向かい合うように配置されたSOI基板研磨用のパッド5とを備えてなるCMP研磨装置を用意する。そして、SOI基板1のうち支持ウェハ11側を貼付け面2aに貼り付け、素子形成用ウェハ12の表面がパッド5によって研磨されるようにする。このとき、窓部2aを通じて、SOI基板1のうち支持ウェハ11側から光を照射し、SOI基板1からの反射光の強度と波長との関係に基づいてSOI層の厚みを測定する。これにより、研磨中でもSOI層の厚み測定が行えると共に、支持ウェハ11側から光を照射しているため、研磨面やスラリの影響を無くし、良好に厚み測定を行える。
請求項（抜粋）：
第1の層及び該第1の層と屈折率の異なる第2の層を有する半導体基板の前記第1の層の表面側を研磨する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記研磨工程は、当該半導体基板の前記第2の層側より光を照射し、該半導体基板の前記第2の層側よりの反射光の強度と波長の関係に基づいて前記第1の層の厚みを測定しながら研磨する工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/04
FI (3件)：
H01L 21/304 622 W ,  H01L 21/304 622 S ,  B24B 37/04 K
Fターム (5件)：
3C058AA07 ,  3C058BA01 ,  3C058BA14 ,  3C058CA01 ,  3C058CB03
引用特許：
審査官引用 (7件)
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