特許
J-GLOBAL ID：200903053755330207

光電変換装置およびその製造方法

発明者：
永田 豪

永田 豪 について

, 
中柴 康隆

中柴 康隆 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 高橋 詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-179005
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007309
出願日： 1999年06月24日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】 トランジスタ特性(作動特性)の向上と、画素間の分離特性の向上と、耐圧特性の向上を図る。【解決手段】 半導体基板11に設けた第1導電型のウエル層12と、このウエル層12に設けた第2導電型の受光領域(光電変換領域)14とを有し、前記受光領域14の下側位置には、結合容量の低減可能に前記ウエル層12よりも不純物濃度が低く設定される第1導電型の不純物層(空乏層形成層)20、前記受光領域よりも不純物濃度が低く設定される第2導電型の不純物層(逆空乏層形成層)17が、空乏層伸張可能に平面視して少なくともその一部を前記受光領域14の内側に位置するように設けられる
請求項（抜粋）：
半導体基板に設けた第1導電型のウエル層と、このウエル層に設けた第2導電型の受光領域とを有し、前記受光領域の下側位置には、結合容量の低減可能に前記ウエル層よりも不純物濃度が低く設定される第1導電型の不純物層が、空乏層伸張可能に平面視して少なくともその一部を前記受光領域の内側に位置するように設けられることを特徴とする光電変換装置。
IPC (3件)：
H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335
FI (3件)：
H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 U ,  H01L 31/10 A
Fターム (35件)：
4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118DA32 ,  4M118DD09 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118EA07 ,  4M118FA06 ,  4M118FA28 ,  4M118FA50 ,  5C024AA01 ,  5C024CA31 ,  5C024FA01 ,  5C024GA01 ,  5C024JA04 ,  5C024JA35 ,  5F049MA15 ,  5F049MB03 ,  5F049MB12 ,  5F049NA01 ,  5F049NA04 ,  5F049NA15 ,  5F049NA18 ,  5F049NA20 ,  5F049NB05 ,  5F049NB10 ,  5F049PA09 ,  5F049PA10 ,  5F049QA15 ,  5F049SS03
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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