特許
J-GLOBAL ID：200903053776141811

静電的に制御されるトンネリング・トランジスタ

発明者：
グルップ,ダニエル・イー

グルップ,ダニエル・イー について


出願人/特許権者：
エイコーン・テクノロジイズ・インコーポレーテッド

エイコーン・テクノロジイズ・インコーポレーテッド について


代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-614517
公開番号（公開出願番号）：特表2002-543596
出願日： 2000年04月21日
公開日（公表日）： 2002年12月17日
要約：
【要約】2つのトンネル接合(34、36)の間に配設されたアイランド(26)の静電電位を変化させることによって動作するトランジスタ。このトランジスタは、バンド・ギャップを有する材料(例えば半導体または超伝導体材料)でできたアイランド(26)を有する。ソース・コンタクト(28)およびドレイン・コンタクト(30)が設けられる。このトランジスタは、アイランド(26)とドレイン(30)の間に配設された第1のトンネル接合障壁(36)を有する。アイランドは、トランジスタの他の部分ならびに基板(20)からオーム的に分離される。ゲートに印加される電圧によりアイランドの電位が変化するように、ゲート電極(24)がアイランド(26)に容量結合される。このトランジスタはn型およびp型実施形態を有する。動作に際しては、ゲート電圧を印加すると(例えば正のゲート・バイアスの場合に)アイランドの伝導帯(54)が降下し、また(負のゲート・バイアスの場合に)価電子帯(56)が上昇する。伝導帯(54)または価電子帯(56)がソースおよびドレインのフェルミ準位(42)と整合しているとき、トンネル効果電流がソース、アイランドおよびドレインの間を通ることができる。
請求項（抜粋）：
a)バンド・ギャップを有する材料で構成されたオーム的に絶縁されたアイランドであって、アイランド内の電子エネルギー準位が100meV未満で分離されるように十分に大きいアイランドと、 b)ソース・コンタクトと、 c)アイランドとソース・コンタクトの間に配設された第1のトンネル接合障壁であって、ソース・コンタクトと第1のトンネル接合障壁とアイランドとによって形成された第1のトンネル接合が量子抵抗よりも小さい抵抗を有するように選択された厚さと面積を有する第1のトンネル接合障壁と、 d)ドレイン・コンタクトと、 e)アイランドとドレイン・コンタクトの間に配設された第2のトンネル接合障壁であって、ドレイン・コンタクトと第2のトンネル接合障壁とアイランドとによって形成された第2のトンネル接合が量子抵抗よりも小さい抵抗を有するように選択された厚さと面積を有する第2のトンネル接合障壁と、 f)アイランドに容量結合されたゲート電極とを備えている電流切り換え用装置。
IPC (3件)：
H01L 29/66 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786
FI (3件)：
H01L 29/66 T ,  H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/78 622
Fターム (30件)：
5F110AA01 ,  5F110AA03 ,  5F110AA09 ,  5F110BB13 ,  5F110CC03 ,  5F110CC10 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF22 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F140AA01 ,  5F140AA02 ,  5F140AC01 ,  5F140AC07 ,  5F140AC12 ,  5F140AC14 ,  5F140AC20 ,  5F140BB01 ,  5F140BD18 ,  5F140BE07 ,  5F140BE10 ,  5F140BH40 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (8件)
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