特許
J-GLOBAL ID：200903056129295288

III族窒化物結晶およびIII族窒化物の結晶成長方法および半導体デバイスおよびシステム

発明者：
岩田 浩和

岩田 浩和 について

, 
皿山 正二

皿山 正二 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-392203
公開番号（公開出願番号）：特開2004-189590
出願日： 2003年11月21日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：
【課題】 多数の結晶で構成される結晶集合体が形成されて、混合融液の表面を覆う事をなくし、安定してIII族窒化物を結晶成長させる。【解決手段】 反応容器11内で、アルカリ金属とIII族金属を含む物質とが混合融液25を形成し、該混合融液25と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物30を結晶成長させるときに、混合融液25の昇温に合わせて窒素を含む物質の圧力を昇圧する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
反応容器内で、アルカリ金属とIII族金属を含む物質とが混合融液を形成し、該混合融液と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物の結晶成長方法において、混合融液の昇温に合わせて窒素を含む物質の圧力を昇圧することを特徴とするIII族窒化物の結晶成長方法。
IPC (9件)：
C30B29/38 ,  C30B9/06 ,  H01L21/338 ,  H01L27/14 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L31/108 ,  H01L33/00 ,  H01S5/343
FI (7件)：
C30B29/38 D ,  C30B9/06 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/343 610 ,  H01L31/10 C ,  H01L27/14 K ,  H01L29/80 H
Fターム (52件)：
4G077AA02 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077CC04 ,  4G077CC06 ,  4G077EA04 ,  4G077EA06 ,  4G077HA02 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA06 ,  4M118CA06 ,  4M118CB01 ,  4M118CB14 ,  4M118GA10 ,  5F041AA24 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041DA18 ,  5F041DB02 ,  5F041EE25 ,  5F041FF11 ,  5F049MA05 ,  5F049MB07 ,  5F049NA04 ,  5F049NA05 ,  5F049SE02 ,  5F049SE05 ,  5F049SS04 ,  5F073AA13 ,  5F073AA73 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB22 ,  5F073DA32 ,  5F073EA28 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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