特許
J-GLOBAL ID：200903053884379891
金属酸化物薄膜の製造方法及び製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏木 慎史 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-346332
公開番号（公開出願番号）：特開2003-147529
出願日： 2001年11月12日
公開日（公表日）： 2003年05月21日
要約：
【要約】【課題】 有機金属化合物材料が目的とする基板上に到達する前の時点で混合器の内壁等への付着・析出により無駄に消費されるのを防止し、かつ、基板上では高品質な薄膜を効率よく成膜できる金属酸化物薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 基板1表面を一様に酸化した後、少なくとも1種類以上の昇華性のβジケトン系有機金属化合物と有機溶媒との混合溶液9を加熱・昇華させた混合蒸気を気化器13で生成し、この混合蒸気を含む不活性キャリアガスと酸素ガスとを混合器6で混合させ、混合されたガスを酸化済みの基板1上に導き基板1上で化学反応させて金属酸化物薄膜を形成させることで、有機溶媒の分子がβジケトン系有機金属の分子を取り囲むように付着すると推定でき、このため、固体の有機金属化合物のみを単独で加熱・昇華させてキャリアガスで搬送する場合に比べ、混合器6の内壁やノズル8付近での付着・析出を低減させることができる。
請求項（抜粋）：
基板表面を一様に酸化する酸化工程と、少なくとも1種類以上の昇華性のβジケトン系有機金属化合物と有機溶媒との混合溶液を加熱・昇華させた混合蒸気を生成する混合蒸気生成工程と、前記混合蒸気を含む不活性キャリアガスと酸素ガス又は酸素原子を含むガスとを混合させる混合工程と、混合されたガスを酸化済みの前記基板上に導きこの基板上で化学反応させて金属酸化物薄膜を形成する薄膜形成工程と、を備える金属酸化物薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (7件)：
4K030AA11
, 4K030AA14
, 4K030BA47
, 4K030EA01
, 4K030FA01
, 4K030FA08
, 4K030FA10
審査官引用 (9件)
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CVD用原料ガスの発生装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-002135
出願人：株式会社フジクラ, 中部電力株式会社
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成膜方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-045606
出願人：三菱重工業株式会社
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特開平1-286916
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