高周波用半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：高田守 , 高橋英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-348878
公開番号（公開出願番号）：特開2006-156902
出願日： 2004年12月01日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：

【課題】 2分岐2段の分配回路と4個の並置されたインタディジタル型MESFETと2分岐2段の合成回路とを有する半導体装置のRF電力の効率を高める。【解決手段】 2分岐2段の入力分配回路16と4個の並置されたインターデジタル型MESFET(18,20,22,24)と2分岐2段の出力合成回路26とを有する回路構成の半導体装置であって、内側に配設された二つのインターデジタル型MESFET(20,22)のソース電極34またはドレイン電極32の一方の電極幅2wを、外側に配設された二つのインターデジタル型MESFET(18,24)のソース電極34の電極幅2vおよびドレイン電極32の電極幅2uそれぞれよりも広くした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板表面に配設されゲート幅の方向に延長されたゲート電極、このゲート電極に隣接し上記半導体基板とオーミックに接続されゲート幅方向に電極幅uで延長された第1の電極、およびこの第1の電極にゲート電極を介して隣接し上記半導体基板とオーミックに接続されゲート幅方向に電極幅vで延長された第2の電極を有する単位素子を複数個順次並置し、単位素子の各ゲート電極の一端と接続されたゲート電極引出配線、各第1の電極の一端と接続された第1電極引出配線、及びゲート電極と第1電極とを跨ぎ各第2の電極と接続された第2電極接続配線を有する第1の半導体素子と、この第1の半導体に隣接して配設され、上記半導体基板表面に配設されゲート幅の方向に延長されたゲート電極、このゲート電極に隣接し上記半導体基板とオーミックに接続されゲート幅方向に所定の電極幅で延長された第1の電極、およびこの第1の電極にゲート電極を介して隣接し上記半導体基板とオーミックに接続されゲート幅方向に所定の電極幅で延長された第2の電極を有する単位素子を複数個順次並置し、単位素子の各ゲート電極の一端と接続されたゲート電極引出配線、各第1の電極の一端と接続された第1電極引出配線、及びゲート電極と第1電極とを跨ぎ各第2の電極と接続された第2電極接続配線を有するとともに少なくとも一つの単位素子の第1の電極または第2の電極の電極幅がwである第2の半導体素子と、この第2の半導体素子に隣接して配設されるとともに上記第2の半導体素子と同じ構成を有する第3の半導体素子と、この第3の半導体素子に隣接して配設されるとともに上記第1の半導体素子と同じ構成を有する第4の半導体素子と、上記第1、第2の半導体素子それぞれの第1電極引出配線を接続する第1配線部分、上記第3、第4の半導体素子それぞれの第1電極引出配線を接続する第2配線部分、及びこの第1配線部分と第2配線部分とを接続する第3配線部分を有する第1電極接続配線と、上記第1、第2の半導体素子それぞれのゲート電極引出配線を接続する第1配線部分、上記第3、第4の半導体素子それぞれのゲート電極引出配線を接続する第2配線部分、及びこの第1配線部分と第2配線部分とを接続する第3配線部分を有するゲート電極接続配線とを備えるとともに、 wが、uおよびvそれぞれよりも大であることを特徴とする高周波用半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/28 , H01L 29/41

FI (3件)：

H01L29/80 L , H01L21/28 301B , H01L29/44 P

Fターム (17件)：

4M104AA05 , 4M104BB02 , 4M104BB09 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104FF11 , 4M104GG12 , 5F102GA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ05 , 5F102GL05 , 5F102GR09 , 5F102GS07 , 5F102GS09 , 5F102GV05

引用特許：

出願人引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-097705 出願人：株式会社村田製作所
電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-145212 出願人：日本電気株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-267750 出願人：日本電気株式会社

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