半導体発光素子

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-164330
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332619
出願日： 1996年11月05日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：

【要約】【課題】単一画素で任意の色度(彩度、色相)の光を発光させ、基板側から光を取り出すこと。【解決手段】基板1上に、異なる色度の光を発光する第1発光層3と第2発光層9とが積層され、第1発光層3は多重量子井戸構造を成している。第1発光層3及び第2発光層9のそれぞれの結晶比を変化させることで禁制帯幅を変化させることができるので、発光のピーク波長を結晶比により変化させることができ、それら発光層3及び9からの発光の合成光の波長強度特性を所望の特性とした。よって、単一画素から任意の色度を有する光を発光させることができる。又、第1発光層3と第2発光層9との間にはバッファ層6が設けられ、このバッファ層6により第1発光層3から電極14側に発光された光が基板1側に反射されるので、基板1側からの光の取り出し効率を高めることができる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成され、不純物無添加の3族窒化物半導体(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-</SB><SB>x</SB>)<SB>y</SB>In<SB>1-y</SB>N(0 ≦x ≦1;0 ≦y ≦1)から成り、所定の色度の光を発光する第1の発光層と、該第1の発光層から発光される光と異なる色度の光を発光し、前記第1の発光層上に積層されたIn<SB>z</SB>Ga<SB>1-z</SB>N(0<z≦1)から成る第2の発光層とを備え、前記第1及び第2の発光層からそれぞれ発光される光の合成光を所望の波長強度特性とし、前記基板側から前記合成光を取り出したことを特徴とする半導体発光素子。

Fターム (15件)：

5F041AA03 , 5F041AA12 , 5F041CA05 , 5F041CA13 , 5F041CA22 , 5F041CA34 , 5F041CA49 , 5F041CA53 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA77 , 5F041CA83 , 5F041CA92 , 5F041CB28

引用特許：

審査官引用 (5件)

3族窒化物半導体平面発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-248839 出願人：豊田合成株式会社
半導体発光素子およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-203219 出願人：日本電信電話株式会社
3族窒化物半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-331485 出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所

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