特許
J-GLOBAL ID：200903054267586398

電界放射型電子源およびその製造方法

発明者：
辰巳 夏生

辰巳 夏生 について

, 
西林 良樹

西林 良樹 について

, 
今井 貴浩

今井 貴浩 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰 ,  近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-142728
公開番号（公開出願番号）：特開2005-310724
出願日： 2004年05月12日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：
【課題】 鋭い先端を有する高品質なダイヤモンドを陰極として、個々のエミッタを容易に制御でき、絶縁破壊や絶縁層の剥離を起こしにくく、リーク電流も少ない電界放射型電子源およびその製造方法を提供する。【解決手段】 電界放射型電子源2aは、ダイヤモンドを材料として含む突起形状の電子放出部1を有する陰極1aと、ゲート電極4と、陰極1aとゲート電極4とを隔てる絶縁層3と、アノード電極5とを備える。陰極1aと絶縁層3との間の少なくとも一部には、中間層6が設けられている。中間層6は複数の層6a,6bを有している。電子放出部1には、ホウ素、窒素、リン、イオウ、リチウム及びシリコンからなる群より選ばれる1種以上の元素が不純物としてドーピングされている。【選択図】 図21
請求項（抜粋）：
ダイヤモンドを材料として含む突起形状の電子放出部を有する陰極と、ゲート電極と、前記陰極と前記ゲート電極とを隔てる絶縁層と、アノード電極と、を備えた電界放射型電子源であって、 前記陰極と前記絶縁層との間の少なくとも一部に設けられた中間層を備え、 前記中間層は、IVa〜VIa族の遷移金属又はシリコンの炭化物からなる炭化物層、及びIVa〜VIa族の遷移金属、アルミニウム又はシリコンの窒化物からなる窒化物層のうち少なくとも一層を含み、 前記電子放出部には、ホウ素、窒素、リン、イオウ、リチウム及びシリコンからなる群より選ばれる1種以上の元素が不純物としてドーピングされていることを特徴とする電界放射型電子源。
IPC (2件)：
H01J1/304 ,  H01J9/02
FI (2件)：
H01J1/30 F ,  H01J9/02 B
Fターム (50件)：
5C127AA01 ,  5C127AA04 ,  5C127AA05 ,  5C127AA06 ,  5C127AA07 ,  5C127BA02 ,  5C127BB03 ,  5C127BB06 ,  5C127BB15 ,  5C127BB16 ,  5C127BB18 ,  5C127BB20 ,  5C127CC04 ,  5C127CC05 ,  5C127CC08 ,  5C127CC09 ,  5C127CC10 ,  5C127CC53 ,  5C127CC62 ,  5C127CC68 ,  5C127DD07 ,  5C127DD09 ,  5C127DD33 ,  5C127DD34 ,  5C127DD42 ,  5C127DD56 ,  5C127DD57 ,  5C127EE12 ,  5C127EE16 ,  5C135AA02 ,  5C135AB03 ,  5C135AB06 ,  5C135AB15 ,  5C135AB16 ,  5C135AB18 ,  5C135AB20 ,  5C135AC03 ,  5C135AC12 ,  5C135AC19 ,  5C135AC22 ,  5C135AC25 ,  5C135AC26 ,  5C135AC29 ,  5C135FF18 ,  5C135FF19 ,  5C135GG12 ,  5C135GG13 ,  5C135GG16 ,  5C135HH12 ,  5C135HH16
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (9件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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