特許
J-GLOBAL ID：200903054323822393
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-180602
公開番号（公開出願番号）：特開2004-023086
出願日： 2002年06月20日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：
【課題】キャパシタを有する半導体装置の製造方法に関し、絶縁膜からキャパシタへの水分の離脱を従来より低減すること。【解決手段】第1絶縁膜10上に第1導電膜12、誘電体膜13及び第2導電膜14を形成し、第2導電膜14をパターニングしてキャパシタQの上部電極14aを形成し、誘電体膜13をパターニングして上部電極14の下に残し、第1導電膜13をパターニングしてキャパシタQの下部電極12aを形成し、キャパシタQ及び第1絶縁膜10を第2絶縁膜17により覆い、第1絶縁膜10と第2絶縁膜17のうち少なくとも一方を不活性ガス雰囲気内でアニールした後にN2O のプラズマに曝す工程を含む。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半導体基板の上方に第1絶縁膜を形成する工程と、
前記第1絶縁膜の上に第1の導電膜、誘電体膜及び第2の導電膜を順に形成する工程と、
前記第2の導電膜をパターニングすることによりキャパシタの上部電極を形成する工程と、
前記誘電体膜をパターニングして前記上部電極の下に残す工程と、
前記第1の導電膜をパターニングすることにより前記キャパシタの下部電極を形成する工程と、
前記キャパシタ及び前記第1絶縁膜を第2絶縁膜により覆う工程とを有し、
前記第1絶縁膜と前記第2絶縁膜のうち少なくとも一方を不活性ガス雰囲気内でアニールする工程と、
アニールされた前記第1絶縁膜と前記第2絶縁膜のうち少なくとも一方をN2O のプラズマに曝す工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (21件)：
5F083AD14
, 5F083AD49
, 5F083FR02
, 5F083JA05
, 5F083JA14
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F083JA35
, 5F083JA36
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083JA53
, 5F083MA05
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083MA19
, 5F083PR21
, 5F083PR33
, 5F083PR34
