特許
J-GLOBAL ID：200903054422009130

薄膜誘電体素子用積層体の形成方法及び薄膜誘電体素子

発明者：
堀野 賢治

堀野 賢治 について

, 
齋田 仁

齋田 仁 について


出願人/特許権者：
TDK株式会社

TDK株式会社 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  青木 博昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-157558
公開番号（公開出願番号）：特開2007-329188
出願日： 2006年06月06日
公開日（公表日）： 2007年12月20日
要約：
【課題】電極として安価なCu、Ni又はAlを用いた場合でも電極を酸化させず、しかもMOD法によって平滑な誘電体薄膜を形成する方法、および、その平滑な誘電体薄膜を用いた薄膜誘電体素子を提供すること。【解決手段】本発明に係る薄膜誘電体素子用積層体の形成方法は、Cu、Ni、Alの少なくとも1種以上を主成分とする下部電極層2を基板1上に形成する電極形成工程と、電極層2の表面に有機誘電体原料を含有する原料液を塗布する原料液塗布工程と、電極2の表面に塗布した原料液中の有機誘電体原料を熱分解して金属酸化物薄膜を形成する熱分解工程とを含み、上記熱分解工程は、電極2の表面に塗布した原料液を還元性雰囲気において3°C/分以下の昇温速度で加熱する工程を含み、還元性雰囲気の条件は、pO2<0.101Paであることを特徴とする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
Cu、Ni、Alの少なくとも1種以上を主成分とする電極を基板上に形成する電極形成工程と、 前記電極の表面に、有機誘電体原料を含有する原料液を塗布する原料液塗布工程と、 前記電極の表面に塗布した前記原料液中の前記有機誘電体原料を熱分解して金属酸化物薄膜を形成する熱分解工程とを含み、 前記熱分解工程は、前記原料液を還元性雰囲気において3°C/分以下の昇温速度で加熱する工程を含んでおり、前記還元性雰囲気の条件はpO2<0.101Paであること、 を特徴とする薄膜誘電体素子用積層体の形成方法。
IPC (3件)：
H01G 4/33 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105
FI (2件)：
H01G4/06 102 ,  H01L27/10 444C
Fターム (32件)：
5E082AB03 ,  5E082EE05 ,  5E082EE24 ,  5E082EE26 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082FG27 ,  5E082FG42 ,  5E082FG46 ,  5E082FG54 ,  5E082PP06 ,  5E082PP07 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF46 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ04 ,  5F083FR01 ,  5F083GA27 ,  5F083JA12 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (2件)

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