トップエミット型窒化物系発光素子及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：服部雅紀
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-522432
公開番号（公開出願番号）：特表2008-507842
出願日： 2005年07月22日
公開日（公表日）： 2008年03月13日
要約：

本発明は、トップエミット型窒化物系発光素子とその製造方法に関し、窒化物系発光素子は、n型クラッド層と、活性層及びp型クラッド層が順次に積層されており、p型クラッド層上に形成された界面改質層と、前記界面改質層上に透明導電性素材で形成された透明導電性薄膜層と、を備えたトップエミット型窒化物系発光素子を提供する。このようなトップエミット型窒化物系発光素子及びその製造方法によれば、p型クラッド層とのオーミック接触特性が改善され、発光素子のパッケージングの際に、ワイヤーボンディング効率を、及び収率を高めることができ、低い非接触抵抗及び優れた電流-電圧特性により素子の発光効率及び素子寿命を向上することができるという長所を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

n型クラッド層とp型クラッド層との間に活性層を有するトップエミット型窒化物系発光素子において、前記p型クラッド層上に形成された界面改質層と、前記界面改質層上に透明導電性素材で形成された透明導電性薄膜層と、を備えることを特徴とするトップエミット型窒化物系発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/28

FI (4件)：

H01L33/00 C , H01L33/00 E , H01L21/28 301 , H01L21/28 301B

Fターム (20件)：

4M104AA04 , 4M104AA05 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB14 , 4M104BB30 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104FF13 , 4M104GG04 , 4M104HH16 , 5F041AA03 , 5F041CA04 , 5F041CA12 , 5F041CA40 , 5F041CA73 , 5F041CA88

引用特許：

出願人引用 (5件)

米国特許第6,287,947号明細書
半導体発光素子の製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-326334 出願人：ローム株式会社
化合物半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-016825 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (5件)

窒化物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-279967 出願人：日亜化学工業株式会社
半導体発光素子の製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-326334 出願人：ローム株式会社
化合物半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-016825 出願人：株式会社東芝

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