保護膜形成方法および保護膜

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：吉田研二 , 石田純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-160085
公開番号（公開出願番号）：特開2006-338947
出願日： 2005年05月31日
公開日（公表日）： 2006年12月14日
要約：

【課題】バリアー性に富むとともに、残留応力が比較的小さい保護膜を得る。【解決手段】ガラス基板10上に、多数の有機EL素子を含む素子層12を形成し、この素子層12の全体を覆って保護膜14を形成する。特に、この保護膜14は化学気相堆積法を用いることが好適であり、その際の形成条件(温度、原料供給量)を形成途中で変更する。これによって、厚み方向において、緻密度の異なる保護層14が得られる。これによって素子層12の近傍での残留応力が比較的小さく、表面部では緻密で水分等などに対するバリアー性が高い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、多数の素子を形成し、その後にこの多数の素子を保護する保護膜を形成する保護膜形成方法であって、保護膜形成の条件を保護膜形成途中で変更することによって、比較的粗に形成され、残留応力が少ない低ストレス層と、比較的緻密に形成され、外部雰囲気からの隔離性能に優れるバリアー層と、を含む厚み方向における傾斜構造を有する保護膜を形成することを特徴とする保護膜形成方法。

IPC (5件)：

H05B 33/04 , G09F 9/00 , G09F 9/30 , H01L 27/32 , H01L 51/50

FI (4件)：

H05B33/04 , G09F9/00 342Z , G09F9/30 365Z , H05B33/14 A

Fターム (18件)：

3K007AB11 , 3K007AB13 , 3K007BB02 , 3K007DB03 , 3K007FA02 , 5C094AA31 , 5C094AA36 , 5C094AA38 , 5C094AA55 , 5C094AA60 , 5C094BA27 , 5C094DA13 , 5C094GB10 , 5G435AA13 , 5G435AA14 , 5G435BB05 , 5G435KK05 , 5G435KK10

引用特許：

出願人引用 (2件)

有機ELディスプレイ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-093561 出願人：ミツミ電機株式会社
シリコン窒化膜の成膜方法、成膜装置、及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-112321 出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (6件)

保護膜製造方法および有機EL素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-220932 出願人：株式会社島津製作所
電気光学装置及び電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-287452 出願人：セイコーエプソン株式会社
有機電界発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-329536 出願人：松下電工株式会社, 城戸淳二

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