特許
J-GLOBAL ID：200903054644339341
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
矢作 和行
, 野々部 泰平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-212488
公開番号（公開出願番号）：特開2008-041836
出願日： 2006年08月03日
公開日（公表日）： 2008年02月21日
要約：
【課題】半導体基板内の重金属による素子特性の劣化と製造コストをともに低減できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板101を構成するコレクタ層102にゲッタリング層102aを形成するとともに、半導体基板101に半導体素子を形成し、ゲッタリング層102aと半導体素子の形成された半導体基板101を、低温で長時間熱処理する。そして、熱処理後、ゲッタリング層102aの一部を除去した後に、除去された半導体基板101の面に、裏面電極であるコレクタ電極110を形成するようにした。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体基板にゲッタリング層を形成するゲッタリング層形成工程と、
前記ゲッタリング層の形成された前記半導体基板を熱処理する熱処理工程と、
前記熱処理工程の前に、半導体素子として、前記半導体基板に前記熱処理以上の温度を必要とする部位までを少なくとも形成する素子形成工程と、
前記熱処理工程後、前記半導体基板の裏面に、前記熱処理未満の温度をもって前記半導体素子の裏面電極を形成する裏面電極形成工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/322
, H01L 29/739
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L21/322 Y
, H01L21/322 R
, H01L21/322 M
, H01L21/322 P
, H01L29/78 655C
, H01L29/78 658H
, H01L29/78 658Z
, H01L29/78 658G
, H01L29/78 658F
, H01L21/322 J
