半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：金田暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-203560
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017497
出願日： 2001年07月04日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】メタルビット線やMIM構造のキャパシタを有するDRAM等の半導体装置の製造工程において、工程を複雑にすることなくゲッタリング処理を効率良く行なうことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ウェハ裏面に重金属不純物を捕獲するためのゲッタリング層を設けておき、金属配線層の形成直前に、半導体装置に対して所定の温度で第1の熱処理を行い重金属不純物を熱拡散させてゲッタリング層に捕獲させ、重金属不純物を捕獲したゲッタリング層を第1の熱処理の次に行う第2の熱処理の前までに除去する。また、ゲッタリング層を除去した後、デバイスの活性領域を含むウェハ表面にコンタクトホールの埋設材となる第1のアモルファスシリコン層を堆積すると共に、第1のアモルファスシリコン層と同じ不純物濃度の第2のアモルファスシリコン層をウェハ裏面に同時に堆積する。

請求項（抜粋）：

製造工程中にウェハ内に意図せずに混入する重金属不純物を除去するためのゲッタリング処理工程を含む半導体装置の製造方法であって、予め、デバイスの活性領域と対向するウェハ裏面に、前記重金属不純物を捕獲するためのゲッタリング層を設けておき、金属配線層の形成直前に、前記半導体装置に対して所定の温度で第1の熱処理を行い、前記重金属不純物を熱拡散させて前記ゲッタリング層に捕獲させ、前記重金属不純物を捕獲した前記ゲッタリング層を、前記第1の熱処理の次に行う第2の熱処理の前までに除去する半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/322 , H01L 21/8242 , H01L 27/108

FI (3件)：

H01L 21/322 P , H01L 21/322 R , H01L 27/10 621 Z

Fターム (14件)：

5F083AD42 , 5F083AD48 , 5F083AD49 , 5F083JA06 , 5F083JA33 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA53 , 5F083KA05 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA20 , 5F083PR33 , 5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-218921
特開平4-218921
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-054299 出願人：株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る