特許
J-GLOBAL ID：200903054716279497
面発光半導体レーザアレイおよびそれを用いた光伝送システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
片寄 恭三
, 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-112405
公開番号（公開出願番号）：特開2006-294810
出願日： 2005年04月08日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：
【課題】 各発光部の出射ニアフィールドパターンを調整したマルチスポット型のVCSELアレイを提供する。【解決手段】 VCSELアレイは、1次元または2次元にアレイ状に配列された発光部S1、S2を含み、各発光部S1、S2は、基板30上に、第1の反射ミラー31、第2の反射ミラー34、第1および第2の反射ミラーの間の活性領域32および電流狭窄層33、第2の反射ミラーの上方の出射開口36を有し、各発光部S1、S2は、同時に駆動されて出射開口36からレーザ光を出射する。発光部S1のニアフィールドパターンは、発光部S2に向けて非対称に偏心し、発光部S2のニアフィールドパターンは、発光部S1に向けて非対称に偏心している。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
1次元または2次元アレイ状に配列された複数の発光部を含み、各発光部は、基板上に、第1の反射ミラー、第2の反射ミラー、第1および第2の反射ミラーの間に形成された活性領域および電流狭窄層、第2の反射ミラーの上方の複数の出射開口を有し、各発光部は、同時に駆動されて各出射開口からレーザ光を出射する面発光型半導体レーザアレイであって、
少なくとも1つの発光部のレーザ光のニアフィールドパターンが、他の発光部のレーザ光のニアフィールドパターンと異なる、面発光型半導体レーザアレイ。
IPC (3件)：
H01S 5/42
, H01S 5/183
, H01S 5/187
H01S5/42
, H01S5/183
, H01S5/187
5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AC35
, 5F173AC42
, 5F173AC46
, 5F173AC52
, 5F173AD04
, 5F173AH02
, 5F173AR52
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (12件)
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