特許
J-GLOBAL ID：200903083903033795
表面発光型半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
片寄 恭三
, 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-180604
公開番号（公開出願番号）：特開2004-023087
出願日： 2002年06月20日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：
【課題】基本横モード発振でありながら光出力を改善した面発光レーザを提供する。【解決手段】表面発光型半導体レーザ100は、半導体基板1と、基板1上に形成されたn型の下部多層膜反射鏡2と、活性領域3と、電流狭窄部4と、p型の上部多層膜反射鏡5と、コンタクト層6と、第1金属コンタクト層7とを有し、メサ構造101のレーザ素子部は、コンタクト層6、上部多層膜反射鏡5、電流狭窄部4及び第1金属コンタクト層7を含み、メサ構造101は第1コンタクト層7に整合された側面を有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
メサ構造のレーザ素子部を備えた表面発光型半導体レーザであって、前記表面発光型半導体レーザは、
基板と、該基板上に形成された第1導電型の下部半導体多層ミラーと、第2導電型の上部半導体多層ミラーと、前記下部半導体多層ミラーと前記上部半導体多層ミラーとの間に配された活性領域と、前記下部半導体多層ミラーと前記上部半導体ミラーとの間に配された電流狭窄部と、前記上部半導体多層ミラー上に形成された金属部とを有し、
前記メサ構造は、少なくとも前記上部半導体多層ミラー、前記電流狭窄部及び前記金属部を含み、前記メサ構造は前記金属部に整合された側面を有する、表面発光型半導体レーザ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F073AA74
, 5F073AB17
, 5F073BA09
, 5F073CA05
, 5F073CB02
, 5F073CB22
, 5F073DA05
, 5F073DA21
