特許
J-GLOBAL ID:200903054776719860
ホトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
酒井 宏明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-416559
公開番号(公開出願番号):特開2005-173463
出願日: 2003年12月15日
公開日(公表日): 2005年06月30日
要約:
【課題】高解像性は維持しつつ、レジストパターンの形状、すなわち、矩形性およびラインエッジラフネスを改善したホトレジスト組成物を提供する。【解決手段】(A)(i)フッ素原子又はフッ素化アルキル基と(ii)アルコール性水酸基とを共に有する脂肪族環式基を持つアルカリ可溶性の構成単位を含み、酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する重合体成分と、(B)露光光を受けて酸を発生する酸発生剤成分であって、(B-1)直鎖状のフルオロアルキルスルホン酸イオンをアニオン部とするオニウム塩と、(B-2)フッ素置換されていない複素環を有するスルホン酸イオンをアニオン部とするオニウム塩とを少なくとも含む酸発生剤成分とを含有させることによりホトレジスト組成物を構成する。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
(A)(i)フッ素原子又はフッ素化アルキル基と(ii)アルコール性水酸基とを共
に有する脂肪族環式基を持つアルカリ可溶性の構成単位を含み、酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する重合体成分と、
(B)露光光を受けて酸を発生する酸発生剤成分であって、
(B-1)直鎖状のフルオロアルキルスルホン酸イオンをアニオン部とするオニウム塩と、(B-2)フッ素置換されていない複素環を有するスルホン酸イオンをアニオン部とするオニウム塩とを少なくとも含む酸発生剤成分と、
を含有することを特徴とするホトレジスト組成物。
IPC (4件):
G03F7/004
, G03F7/033
, G03F7/039
, H01L21/027
FI (5件):
G03F7/004 503A
, G03F7/004 501
, G03F7/033
, G03F7/039 601
, H01L21/30 502R
Fターム (13件):
2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AB16
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE07
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB41
, 2H025CB45
, 2H025CC20
, 2H025DA19
, 2H025FA12
引用特許:
出願人引用 (1件)
-
ポジ型レジスト組成物
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-149620
出願人:富士写真フイルム株式会社
審査官引用 (7件)
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