特許
J-GLOBAL ID：200903054904465982
リッジ導波路型半導体レーザ及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-200836
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026453
出願日： 2000年07月03日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：
【要約】【課題】 AlGaInAs系の高性能で信頼性の高いリッジ導波路型半導体レーザ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 p-AlInAsクラッド層7の直上はp-InGaAsPエッチングストッパ層8に覆われているため、p-AlInAsクラッド層7がプロセス途中で大気中に露出することがないので、p-AlInAsクラッド層7の酸化に起因する信頼性の問題は発生しない。加えて、p-AlInAsクラッド層7の直上に、p-InGaAsPエッチングストッパ層8を有するために、リッジ形成時のエッチングをp-InGaAsPエッチングストッパ層8で止めることができる。
請求項（抜粋）：
AlGaInAs活性層と、このAlGaInAs活性層上に形成されたAlInAsクラッド層と、このAlInAsクラッド層上に形成されたInGaAsPエッチングストッパ層と、このInGaAsPエッチングストッパ層上に形成され、かつInPクラッド層を含むリッジとを備えたリッジ導波路型半導体レーザにおいて、上記リッジの底部は上記InGaAsPエッチングストッパ層に接していることを特徴とするリッジ導波路型半導体レーザ。
IPC (3件)：
H01S 5/22
, H01L 21/205
, H01S 5/323
H01S 5/22
, H01L 21/205
, H01S 5/323
5F045AA04
, 5F045AB12
, 5F045AB17
, 5F045AB18
, 5F045AB32
, 5F045AF04
, 5F045BB16
, 5F045CA12
, 5F045DA55
, 5F045HA13
, 5F045HA14
, 5F073AA13
, 5F073AA53
, 5F073AA74
, 5F073BA01
, 5F073CA15
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073DA21
, 5F073EA16
, 5F073EA28
