特許
J-GLOBAL ID：200903055017005744

半導体装置およびその製造方法

発明者：
竹岡 慎治

竹岡 慎治 について

, 
平瀬 順司

平瀬 順司 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-325999
公開番号（公開出願番号）：特開2007-134492
出願日： 2005年11月10日
公開日（公表日）： 2007年05月31日
要約：
【課題】トランジスタ特性の変動を抑えつつ、STI部からチャネル領域へ印加されるストレスを低減させることが可能な半導体装置、及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、活性領域と素子分離領域とが形成され、素子分離領域に溝が形成された半導体基板101と、半導体基板101の溝に埋め込まれた素子分離用絶縁膜103と、素子分離用絶縁膜103内に埋め込まれた半導体ナノ結晶105とを備えている。半導体ナノ結晶105の線膨張係数は素子分離用絶縁膜103よりも半導体基板101に近いので、熱処理後などに活性領域に加わるストレスが低減される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された第1の素子分離領域を有する半導体装置において、 前記第1の素子分離領域は、前記半導体基板からなる第1の活性領域を囲む第1の溝と、前記第1の溝内に埋め込まれた第1の絶縁膜とを有し、 前記第1の絶縁膜は、IV族半導体からなる半導体微粒子を含有していることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/76 ,  H01L 29/78 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092
FI (4件)：
H01L21/76 L ,  H01L29/78 301R ,  H01L27/08 331A ,  H01L27/08 321C
Fターム (30件)：
5F032AA34 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA48 ,  5F032AA54 ,  5F032AA77 ,  5F032CA17 ,  5F032CA20 ,  5F032DA02 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA33 ,  5F032DA43 ,  5F032DA53 ,  5F032DA60 ,  5F032DA74 ,  5F048AA00 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BG13 ,  5F048BG14 ,  5F048DA23 ,  5F140AA00 ,  5F140AA06 ,  5F140AA08 ,  5F140BA01 ,  5F140BG08 ,  5F140CB04 ,  5F140CB10
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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