特許

J-GLOBAL ID：200903055117896751

炭素系膜のパターン形成方法

発明者： 蒲生 秀典 ,  安藤 寿浩
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社 ,  独立行政法人物質・材料研究機構
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-264224
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080376
出願日： 2004年09月10日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：

【課題】炭素系膜のパターンニングを精度よく行うことを可能とする炭素系膜のパターン形成方法を提供すること。【解決手段】基体上に炭素系膜を成膜した基板を用意する工程、前記炭素系膜上に無機レジストパターンを形成する工程、前記無機レジストパターンをエッチングマスクとして用いて、酸素系ガスにハロゲン系ガスを添加したエッチングガスによるドライエッチングによって、前記炭素系膜をエッチングし、炭素系膜をパターニングする工程、及び前記無機レジストパターンをエッチングにより除去する工程を具備することを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基体上に炭素系膜を成膜した基板を用意する工程、 前記炭素系膜上に無機レジストパターンを形成する工程、及び 前記無機レジストパターンをエッチングマスクとして用いて、酸素系ガスにハロゲン系ガスを添加したエッチングガスによるドライエッチングによって、前記炭素系膜をエッチングし、炭素系膜をパターニングする工程 を少なくとも具備することを特徴とする炭素系膜のパターン形成方法。

IPC (1件)：

H01L 21/306

FI (1件)：

H01L21/302 104Z

Fターム (33件)：

4K030AA09 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA27 ,  4K030BA28 ,  4K030BB14 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030FA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA05 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA16 ,  5F004BA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA04 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DA27 ,  5F004DB00 ,  5F004EA03 ,  5F004EA05 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ステンシルマスク、その製造方法及び露光方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-186841   出願人：凸版印刷株式会社

審査官引用 (3件)

• 硬質カーボン膜のパターニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-072772   出願人：シチズン時計株式会社
• 選択エッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-253319   出願人：ミシガンステイトユニバーシティー, セイント-ゴベイン/ノートンインダストリアルセラミックスコーポレイション
• 絶縁膜ならびにその絶縁膜を有する半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-148017   出願人：日本電気株式会社