特許
J-GLOBAL ID：200903055140832817
ウェハ処理方法及び半導体基体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
大塚 康徳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-038079
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242102
出願日： 1997年02月21日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】パーティクルによるウェハの汚染を防止すると共にウェハに施す処理を均一化する。【解決手段】ウェハ処理槽10の下方には、超音波層30が設けられており、この超音波層30からウェハ処理槽10に超音波を誘導しながらウェハ40を処理する。また、ウェハ40の処理は、ウェハ40をウェハ処理槽10に完全に浸漬した状態で、ウェハ回転ロッド53によりウェハ40を回転させながら行う。
請求項（抜粋）：
超音波を供給しながらウェハを処理するウェハ処理方法であって、ウェハの全体を処理液中に浸漬し該ウェハを回転させながら処理することを特徴とするウェハ処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
, H01L 21/308
H01L 21/304 341 T
, H01L 21/304 341 M
, H01L 21/308 G
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (6件)
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