特許
J-GLOBAL ID：200903055187730168

半導体装置の製造方法

発明者：
南部 優子

南部 優子 について

, 
柴田 聡

柴田 聡 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-370878
公開番号（公開出願番号）：特開2002-237466
出願日： 1999年12月09日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：
【要約】【課題】 平坦性のよいシリサイド層などを得るための半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体領域内に、プレアモルファス工程では、IV族元素のイオン注入、又はヒ素(As),リン(P),ハロゲン元素及び不活性ガス元素のうち少なくともいずれか1つのイオン注入、又は-10°Cよりも低い低温条件でイオン注入を行なってアモルファス領域を形成する。プレアモルファス工程の後に、上記アモルファス領域にボロンのイオン注入を行なう工程,又は上記アモルファス領域をシリサイド化する工程のうち少なくともいずれか一方の工程を行なう。これにより、チャネリングの防止による浅い拡散層の形成や、平坦性のよいシリサイド層などを形成することが可能になる。
請求項（抜粋）：
基板の半導体領域に半導体装置を製造するための製造方法であって、上記半導体領域内に、IV族元素のイオン注入を行なってアモルファス領域を形成するプレアモルファス工程を含み、上記プレアモルファス工程の後に、上記アモルファス領域にボロンのイオン注入を行なう工程,又は上記アモルファス領域をシリサイド化する工程のうち少なくともいずれか一方の工程を行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/26 ,  C23C 14/48 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/265 602 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/66
FI (8件)：
C23C 14/48 A ,  H01L 21/265 602 B ,  H01L 21/28 301 S ,  H01L 21/66 T ,  H01L 21/26 T ,  H01L 21/265 F ,  H01L 21/265 U ,  H01L 21/265 K
Fターム (17件)：
4K029AA06 ,  4K029BD01 ,  4K029CA10 ,  4K029GA01 ,  4M104AA01 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB25 ,  4M104CC01 ,  4M104DD02 ,  4M104DD26 ,  4M104DD78 ,  4M104DD81 ,  4M104DD84 ,  4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106CA31
引用特許：
審査官引用 (8件)
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