特許
J-GLOBAL ID：200903005399713894

半導体装置の製造方法

発明者：
木村 秀樹

木村 秀樹 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-335177
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163129
出願日： 1996年11月29日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板と金属層との化合物層を形成してもスパイク状の欠陥が形成されにくくして、高速、低消費電力及び微細な半導体装置を高い歩留りで製造する。【解決手段】 Co層17の付着前にSi基板11にイオン注入を行うことによるSi基板11の非晶質化と、Co層17の付着後にSi基板11にイオン注入を行うことによるSi基板11とCo層17との界面におけるこれらの混合との少なくとも何れかを、Si基板11の温度が室温以下である状態で行う。このため、必要な臨界ドーズ量が少なくてよく、結晶層11bと非晶質層11aとの界面が滑らかで、Si基板11とCo層17との反応がより均一に進む。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に金属層を付着させ、前記半導体基板と前記金属層とを反応させて前記半導体基板の拡散層上に化合物層を形成する半導体装置の製造方法において、前記付着前に前記半導体基板にイオン注入を行うことによる前記半導体基板の非晶質化と、前記付着後に前記半導体基板にイオン注入を行うことによる前記半導体基板と前記金属層との界面におけるこれらの混合との少なくとも何れかを、前記半導体基板の温度が室温以下である状態で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
H01L 21/28 301 S ,  H01L 21/265 Q ,  H01L 29/78 301 P
引用特許：
審査官引用 (29件)
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