特許
J-GLOBAL ID：200903055202231041

シリコン太陽電池の製造方法

発明者：
松野 吉徳

松野 吉徳 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-128572
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323736
出願日： 1999年05月10日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】 信頼性の高いシリコン太陽電池を歩留まり良く製造できるシリコン太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】 Siインゴットがスライスされたウエハを用いて太陽電池を製造する製造方法において、ウエハを等方性ウエットエッチング液に浸漬してエッチングすることにより、ウエハがスライスされた時に生じる表面の加工変質層を除去する工程を含む。
請求項（抜粋）：
SiインゴットがスライスされたSiウエハを用いて太陽電池を製造する製造方法において、上記ウエハを等方性ウエットエッチング液に浸漬してエッチングすることにより、上記ウエハがスライスされた時に生じる表面の加工変質層を除去する等方性エッチング工程を含むことを特徴とするシリコン太陽電池の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 31/04 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308
FI (4件)：
H01L 31/04 H ,  C30B 29/06 B ,  H01L 21/308 B ,  H01L 21/306 G
Fターム (20件)：
4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077FG06 ,  4G077HA05 ,  5F043AA02 ,  5F043BB01 ,  5F043CC05 ,  5F043DD30 ,  5F043EE01 ,  5F043EE08 ,  5F043GG10 ,  5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051BA11 ,  5F051BA17 ,  5F051CB20 ,  5F051CB21 ,  5F051DA03 ,  5F051GA04 ,  5F051GA15
引用特許：
審査官引用 (5件)
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