半導体製造装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：梶良之 , 須原誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-236529
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079704
出願日： 2002年08月14日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：

【課題】フッ素ガスと同等の特性を有し、安全性の高い原子状フッ素を使用し、一台の装置で一連の半導体製造工程を行える半導体製造装置を提供することを目的とする。【解決手段】パルス状に原料を導入するノズル状の原料導入口1に、前記原料に同期したCO2レーザを集光させ、前記原料を解離して原子状ビームを生成する原子状ビーム発生手段3と、基板表面にCVD法で任意の組成物を堆積するCVD用ガス発生手段5と、前記基板表面に堆積した前記組成物の表面にイオンを照射して、前記組成物の組成を変え得るとともに、任意のパターンを描画することができるイオンビーム発生手段6と、前記原子状ビーム発生手段3と、前記CVD用ガス発生手段5と、前記イオンビーム発生手段6とを一体に連結し、前記基板を載置する回転自在な試料台4を有したチャンバー8と、を備えてなる半導体製造装置Aであって、前記試料台を半導体製造工程における各処理工程に合せて、前記チャンバー8内で回転させることで、半導体の一連の製造工程を同一チャンバー8内で処理できることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

パルス状に原料を導入するノズル状の原料導入口に、前記原料に同期したCO2レーザを集光させ、前記原料を解離して原子状ビームを生成する原子状ビーム発生手段と、基板表面にCVD法で任意の組成物を堆積するCVD用ガス発生手段と、前記基板表面に堆積した前記組成物の表面にイオンを照射して、前記組成物の組成を変え得るとともに、任意のパターンを描画することができるイオンビーム発生手段と、前記原子状ビーム発生手段と、前記CVD用ガス発生手段と、前記イオンビーム発生手段とを一体に連結し、前記基板を載置する回転自在な試料台を有したチャンバーと、を備えてなる半導体製造装置であって、前記試料台を半導体製造工程における各処理工程に合せて、前記チャンバー内で回転させることで、半導体の一連の製造工程を同一チャンバー内で処理できることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (4件)：

H01L21/205 , C23C16/54 , H01L21/027 , H01L21/302

FI (4件)：

H01L21/205 , C23C16/54 , H01L21/302 201A , H01L21/30 551

Fターム (27件)：

4K030CA04 , 4K030DA03 , 4K030DA04 , 4K030DA08 , 4K030GA05 , 4K030HA02 , 4K030KA08 , 4K030LA15 , 5F004BA19 , 5F004BD04 , 5F004CA05 , 5F004DA18 , 5F004EA06 , 5F004EA34 , 5F004EA38 , 5F045AB06 , 5F045AF03 , 5F045BB20 , 5F045DB09 , 5F045DC70 , 5F045DP04 , 5F045EK20 , 5F045HA23 , 5F056EA12 , 5F056EA13 , 5F056EA14 , 5F056FA02

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭63-072100
プロセス処理方法およびその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-083466 出願人：株式会社日立製作所
超微細周期構造の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-003712 出願人：学校法人立命館

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