特許
J-GLOBAL ID：200903055381322976

磁気抵抗効果膜およびそれを用いたメモリ

発明者：
池田 貴司

池田 貴司 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-311323
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124539
出願日： 2001年10月09日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：
【要約】【課題】 サブミクロンサイズ以下の微小サイズの磁気抵抗効果膜、特に最小加工寸法の磁気抵抗効果膜を提供し、さらにこの磁気抵抗効果膜を用いたメモリ素子を提供する。【解決手段】 磁気抵抗効果膜の構成要素である磁性体111、112において、磁性体は垂直磁化を示し、磁気抵抗効果膜の積層方向から磁性体を見た形状が、磁性体の幅に対する長さの比が0.77以上1.30以下の範囲内で有り、かつ長さと幅がどちらも1μm未満となる構成である。
請求項（抜粋）：
磁気抵抗効果膜の構成要素である磁性体において、磁性体は垂直磁化を示し、磁気抵抗効果膜の積層方向から磁性体を見た形状が、磁性体の幅に対する長さの比が0.77以上1.30以下の範囲内で有り、かつ長さと幅がどちらも1μm未満であることを特徴とする磁気抵抗効果膜。
IPC (7件)：
H01L 43/08 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105
FI (9件)：
H01L 43/08 P ,  H01L 43/08 Z ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/14 E ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/10 447
Fターム (13件)：
5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049CB02 ,  5E049DB02 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083LA03 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19
引用特許：
審査官引用 (6件)
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