特許
J-GLOBAL ID：200903055409942665
イオン源
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-349754
公開番号（公開出願番号）：特開2001-167707
出願日： 1999年12月09日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 GeF4ガスを使用してのGe+ビ-ム出しにおけるイオン源寿命の増大と、GeF4ガスを使用してのGe+ビ-ム出し後の害のあるガス発生の低減と信頼性の向上を図ることにある。【解決手段】 ガスを使用してのイオンビ-ムを取り出す傍熱型カソード イオン源において、該カソード1の周囲にある熱電子の反射体であるカソードリペラー8を炭素系素材で構成する。イオン発生室内のアークチャンバー7の内壁側にライナー16を使用するよう構成し、該ライナーの内壁部は、前記アークチャンバーの内側の必要な形状容積サイズとほぼ同じとし、前記アークチャンバーの内壁側の容積を前記ライナーが収納できるように大きくするよう構成し、嵌め込みによりアークチャンバーの内壁に装着する。ライナーに炭素系素材やタンタルを使用し、引出し部16、中間部16b、ガス導入部16aに分割して形成しても良い。
請求項（抜粋）：
ガスを使用してのイオンビ-ムを取り出す傍熱型カソード イオン源において、該カソードの周囲にある熱電子の反射体であるカソードリペラーを炭素系素材で構成したことを特徴とする傍熱型カソードイオン源。
IPC (3件)：
H01J 27/08
, H01J 37/08
, H01J 37/317
H01J 27/08
, H01J 37/08
, H01J 37/317 Z
5C030DD05
, 5C030DE01
, 5C030DG09
, 5C034CC01
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (7件)
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