特許
J-GLOBAL ID：200903055555187917

酸化タンタルコンデンサーの形成方法

発明者：
ドン-ス パク

ドン-ス パク について

, 
ヒュン-キュン キム

ヒュン-キュン キム について


出願人/特許権者：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

株式会社ハイニックスセミコンダクター について


代理人 (1件)： 吉田 研二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-186652
公開番号（公開出願番号）：特開2003-092361
出願日： 2002年06月26日
公開日（公表日）： 2003年03月28日
要約：
【要約】【課題】 原子層薄膜蒸着法を適用して酸化タンタルを蒸着することで、酸化タンタル薄膜のステップカバレージの特性を向上させることができると共に、コンデンサーの電気的特性を向上させる酸化タンタルコンデンサーの形成方法を提供する。【解決手段】 酸化タンタルコンデンサーの形成方法は、下部電極100の上部を窒化させて窒化膜102を形成する段階と、前記窒化膜102の上部に原子層薄膜蒸着法(ALD)を適用して、窒化タンタル薄膜(Ta-N)104を蒸着する段階と、前記窒化タンタル薄膜104を酸化させて酸化タンタル薄膜106を形成する段階と、前記酸化タンタル薄膜の上部に上部電極108を形成する段階と、を含むことである。
請求項（抜粋）：
下部電極の上部を窒化させて窒化膜を形成する段階と、前記窒化膜の上部に原子層薄膜蒸着法(ALD)を適用して、窒化タンタル薄膜を蒸着する段階と、前記窒化タンタル薄膜を酸化させて酸化タンタル薄膜を形成する段階と、前記酸化タンタル薄膜の上部に上部電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする酸化タンタルコンデンサーの形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/822 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108
FI (3件)：
H01L 21/316 A ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 Z
Fターム (18件)：
5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA11 ,  5F058BB04 ,  5F058BB05 ,  5F058BC03 ,  5F058BF73 ,  5F058BJ04 ,  5F083AD21 ,  5F083JA06 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083PR15
引用特許：
審査官引用 (10件)
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