特許

J-GLOBAL ID：200903055727792761

シリコンウェハ及びその製造方法

発明者： 石川 文敬 ,  最勝寺 俊昭 ,  中村 浩三
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
代理人 (1件)： 正林 真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-082566
公開番号（公開出願番号）：特開2000-272996
出願日： 1999年03月25日
公開日（公表日）： 2000年10月03日
要約：

【要約】【課題】 アニール用に適したシリコン単結晶ウェハを作製するのに好適な方法であって、欠陥サイズの縮小化以外の新規な方法もしくは欠陥サイズの縮小化とうまく共存できる方法を提供する。【解決手段】 チョクラルスキー法(CZ法)により、下記式を満足する範囲で制御をしてシリコン融液中からシリコン単結晶インゴット引き上げる。【数1】

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法(CZ法)によりシリコン融液中から引き上げられるシリコン単結晶インゴット中の溶存酸素濃度を調整すると共に、当該引き上げ中のシリコン単結晶インゴットの欠陥形成温度帯における冷却速度を調整することにより、冷却後のシリコン単結晶インゴット内に存在するボイドどうしの連結・非連結の状態を制御する方法。

IPC (3件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/22 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 29/06 502 H ,  C30B 15/22 ,  H01L 21/208 P

Fターム (18件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EG17 ,  4G077EH07 ,  4G077EH09 ,  4G077FE05 ,  4G077HA12 ,  5F053AA12 ,  5F053AA13 ,  5F053BB08 ,  5F053DD01 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053PP03 ,  5F053PP05 ,  5F053RR03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• シリコン単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-357513   出願人：コマツ電子金属株式会社
• シリコン半導体基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-084916   出願人：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
• 水素熱処理用シリコンウェーハ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-027213   出願人：コマツ電子金属株式会社
• シリコン単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-326138   出願人：コマツ電子金属株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Si結晶内のボイド状欠陥成長機構