特許
J-GLOBAL ID：200903055832835891

半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法

発明者：
吉武 春二

吉武 春二 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-263695
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085742
出願日： 1999年09月17日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、長時間発光特性が持続する長寿命の半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 電流ブロック層8と同一平面を形成するよう平坦化層9を設け、前記電流ブロック層8及び前記平坦化層9で形成される面上に形成される透明電極11を形成することにより、透明電極11を平坦に形成し、部分的な電力集中を抑え、半導体発光素子を長寿命化する。
請求項（抜粋）：
基板上に設けられた第1クラッド層、活性層、第2クラッド層の順序の積層体と、前記基板の前記積層体が設けられた面と反対側の面に接続する下部電極と、前記積層体上に部分的に設けられた電流ブロック層と、前記積層体上に電流ブロック層と同一平面を形成するよう設けられかつ前記電流ブロック層と異なる型の半導体からなる平坦化層と、前記電流ブロック層及び前記平坦化層で形成される面上に設けられた透明電極と、前記透明電極に接続する上部電極とを具備することを特徴とする半導体発光素子。
Fターム (25件)：
5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA21 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA12 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA63 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA83 ,  5F041CA84 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F041CB03 ,  5F041CB15 ,  5F041DA43 ,  5F041EE23
引用特許：
審査官引用 (9件)
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