特許
J-GLOBAL ID：200903055919365026

半導体装置およびその製造方法

発明者：
松本 貴裕

松本 貴裕 について

, 
堀尾 直史

堀尾 直史 について

, 
佐野 道宏

佐野 道宏 について


出願人/特許権者：
スタンレー電気株式会社

スタンレー電気株式会社 について


代理人 (1件)： 高橋 敬四郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-063364
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270515
出願日： 2001年03月07日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：
【要約】【課題】 表面平坦性および結晶性が良好な窒化物系化合物半導体エピタキシャル層を含む半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 多数の細孔を有する基板と、基板上にエピタキシャル成長され、III-V族半導体層又はII-VI族半導体層又はIV族半導体層のうち少なくともいずれかの半導体層とを含む。
請求項（抜粋）：
多数の細孔を有する基板と、該基板上にエピタキシャル成長された、III-V族半導体又はII-VI族半導体又はIV族半導体のうち少なくともいずれかの半導体層とを含む半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/3063 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 A ,  H01L 21/306 L
Fターム (24件)：
5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA42 ,  5F041CA43 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA74 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD14 ,  5F043GG10 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045DB02 ,  5F045HA02
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (6件)
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