特許
J-GLOBAL ID：200903056033387084
研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 宗治 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-027276
公開番号（公開出願番号）：特開2002-226836
出願日： 2001年02月02日
公開日（公表日）： 2002年08月14日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 銅、鉄、ニッケル、クロム等の遷移金属による、被研磨物への汚染を効果的に防止する研磨用組成物、およびそれを用いた研磨方法。【解決手段】 a)酸化ケイ素、b)アルカリ金属の無機塩、アンモニウム塩、環状アミンおよびエチレンジアミンからなる群から選ばれるいずれかからなる塩基性物質、c)一般式1の化合物またはその塩から選ばれるキレート剤及びd)水からなる研磨用組成物、およびそれを用いて単結晶シリコン、多結晶シリコン或いは前述の2種からなる半導体ウェーファーの研磨方法。[R1及びR2は低級アルキレン基、nは0〜4の整数。]
請求項（抜粋）：
下記(a)〜(d)を含んでなることを特徴とする、研磨用組成物。(a)二酸化ケイ素、(b)アルカリ金属の無機塩、アンモニウム塩、ピペラジンおよびエチレンジアミンからなる群より選ばれる少なくとも1種類類の塩基性物質、(c)下記一般式[1]にて示される化合物およびその塩からなる群より選ばれる少なくとも1種類類のキレート剤、【化1】但し、R1及びR2は同一又は異なる低級アルキレン基を示し、nは0〜4の整数を示す)、(d)水
IPC (5件)：
C09K 3/14 550
, C09K 3/14
, C09K 3/00 108
, H01L 21/304 622
, H01L 21/306
C09K 3/14 550 D
, C09K 3/14 550 Z
, C09K 3/00 108 C
, H01L 21/304 622 D
, H01L 21/306 M
5F043AA01
, 5F043AA02
, 5F043DD16
, 5F043EE08
, 5F043FF07
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (7件)
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