特許
J-GLOBAL ID：200903056084102670
トンネル型磁気抵抗効果素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
野▲崎▼ 照夫
, 三輪 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-302822
公開番号（公開出願番号）：特開2007-115745
出願日： 2005年10月18日
公開日（公表日）： 2007年05月10日
要約：
【課題】 特に、抵抗変化率(ΔR/R)を高い値に維持しつつ、低いRA、及び、低い層間結合磁界(Hin)を得ることが可能なトンネル型磁気抵抗効果素子及びその製造方法を提供することを目的としている。 【解決手段】 第2固定磁性層4cの上面4c1はプラズマ処理されて界面改質処理がされており、前記第2固定磁性層4cの直上に形成される絶縁障壁層5が酸化チタンで形成されることで、抵抗変化率(ΔR/R)を高い値に維持しつつ、低いRA、及び、低い層間結合磁界(Hin)を得ることが可能である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
下から第1の強磁性層、絶縁障壁層、第2の強磁性層の順に積層され、一方の前記強磁性層は、磁化が固定される固定磁性層で、他方の前記強磁性層は、磁化が外部磁界により変動するフリー磁性層であり、
前記第1の強磁性層の上面は、プラズマ処理されて界面改質処理がされており、
前記絶縁障壁層は酸化チタンで形成されていることを特徴とするトンネル型磁気抵抗効果素子。
IPC (4件)：
H01L 43/12
, H01L 43/10
, H01L 43/08
, G11B 5/39
H01L43/12
, H01L43/10
, H01L43/08 Z
, G11B5/39
出願人引用 (3件)
審査官引用 (5件)
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