薄膜製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石島茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-165268
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345315
出願日： 2000年06月02日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】【課題】プラズマCVD法において、SiO2膜の膜厚の緻密性を高くする技術を提供する。【解決手段】本発明のプラズマCVD法では、TEOSガスとO2ガスとが混合された反応ガスを真空槽12内に導入し、真空槽12内の圧力が従来より低圧である70Pa以上130Pa以下で安定した状態でプラズマを生成して反応ガスを分解し、基板21上に気相成長させている。このため、気相中における反応ガスのラジカル濃度が低くなり、ラジカルの平均自由行程も長くなるので、ラジカルが衝突しにくくなり、凝集しにくくなる。従って、ラジカルが凝集して粉状になって基板21上に成長することで、成膜された薄膜の膜質が劣化していた従来と異なり、薄膜の膜質が緻密になる。

請求項（抜粋）：

真空槽内に第1及び第2の電極を設け、前記第2の電極に基板を載置し、前記真空槽内に、有機シランガスと、酸化性ガスとの混合ガスからなる反応ガスを導入した状態で、前記真空槽内の圧力を70Pa以上130Pa以下にした後、前記第1の電極に交流電圧を供給し、第1及び第2の電極間にプラズマを発生させ、前記プラズマにより前記反応ガスを分解して、前記基板上にシリコン酸化膜を成膜することを特徴とする薄膜製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/31 , C23C 16/40 , H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/31 C , C23C 16/40 , H01L 21/316 X

Fターム (32件)：

4K030AA01 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA14 , 4K030BA44 , 4K030FA03 , 4K030JA05 , 4K030JA09 , 4K030JA18 , 5F045AA08 , 5F045AB32 , 5F045AC07 , 5F045AE19 , 5F045AF03 , 5F045BB16 , 5F045BB17 , 5F045CA15 , 5F045DP03 , 5F045EF05 , 5F045EH14 , 5F058BA06 , 5F058BA20 , 5F058BB04 , 5F058BB07 , 5F058BC02 , 5F058BF07 , 5F058BF25 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF37 , 5F058BF39 , 5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (7件)

シリコン酸化膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-199821 出願人：セイコーエプソン株式会社, アプライドコマツテクノロジー株式会社
絶縁膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-082583 出願人：日本真空技術株式会社
ゲート絶縁膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-179994 出願人：株式会社ジーテイシー

全件表示

前のページに戻る