半導体レーザ装置及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋田収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-196172
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039926
出願日： 2002年07月04日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：

【課題】半導体レーザ装置の高信頼度化を図る。【解決手段】本発明の半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子を加熱する発熱素子とを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子を加熱する発熱素子とを有することを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S5/022 , H01S5/323

FI (2件)：

H01S5/022 , H01S5/323

Fターム (12件)：

5F073AA74 , 5F073BA01 , 5F073CA05 , 5F073DA35 , 5F073EA24 , 5F073EA28 , 5F073FA06 , 5F073FA15 , 5F073FA24 , 5F073FA29 , 5F073FA30 , 5F073HA10

引用特許：

審査官引用 (12件)

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