特許
J-GLOBAL ID：200903056236403905

プラズマ処理方法及び装置

発明者：
松田 出

松田 出 について

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奥村 智洋

奥村 智洋 について

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前川 幸弘

前川 幸弘 について

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住田 賢二

住田 賢二 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-176442
公開番号（公開出願番号）：特開2002-367969
出願日： 2001年06月12日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：
【要約】【課題】 プラズマ源に印加する高周波電力の高周波数化を行っても、処理の均一性を確保し、またノイズによる誤作動を防止する。【解決手段】 第1の真空容器1内の上部電極5に高周波電力を印加してプラズマを発生するようにしたプラズマ処理装置において、第1の真空容器1の全体形状を被処理基板7の中心を中心とする同心円形状から極端に異なる部位を無くした形状として処理の均一性を確保し、また第1の真空容器1内におけるプラズマ発生空間の周囲をすべて接地された部材により包囲することで、周辺での電界の発生を防止し、また第1の真空容器1に隣接して接続された第2の真空容器15の圧力を1Pa以下、または10Pa以上に設定することで、ノイズによる誤作動を防止するようにした。
請求項（抜粋）：
第1の真空容器内にガスを導入しつつ真空排気して所定の圧力に維持し、第1の真空容器を接地するとともに、真空容器内に配置した電極に高周波電力を印加してプラズマを発生するプラズマ処理方法において、プラズマ生成時の電界強度分布を、第1の真空容器と第1の真空容器に電気的に接続された部材の形状、配置により制御することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3065 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/509 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46
FI (5件)：
B01J 19/08 E ,  C23C 16/509 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 C
Fターム (45件)：
4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075AA61 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075CA47 ,  4G075CA65 ,  4G075DA01 ,  4G075DA02 ,  4G075EB01 ,  4G075EB42 ,  4G075EC21 ,  4K030FA03 ,  4K030JA09 ,  4K030JA14 ,  4K030JA18 ,  4K030KA08 ,  4K030KA10 ,  4K030KA11 ,  4K030LA16 ,  4K030LA18 ,  5F004AA01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BB13 ,  5F004BB22 ,  5F004BB29 ,  5F004BC05 ,  5F004BC06 ,  5F004BC08 ,  5F004CA02 ,  5F004CB09 ,  5F004DA23 ,  5F045AA08 ,  5F045CA13 ,  5F045EB08 ,  5F045EB09 ,  5F045EC05 ,  5F045EH14 ,  5F045EH20 ,  5F045EM05 ,  5F045EM10 ,  5F045EN04 ,  5F045GB06 ,  5F045GB08
引用特許：
審査官引用 (8件)
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