特許
J-GLOBAL ID：200903056255850980

窒化物半導体レーザ素子、及びその製造方法

発明者：
山田 孝夫

山田 孝夫 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-323923
公開番号（公開出願番号）：特開2002-204036
出願日： 2001年10月22日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：
【要約】【課題】 反射損失が少ない共振器端面を備えた窒化物半導体レーザ素子であり、COD対策を備えた高出力レーザを提供する。【解決手段】 n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層の間に窒化物半導体からなる活性層を備えた窒化物半導体レーザ素子、及びその製造方法において、レーザ素子の対向する共振器端面のうちの少なくとも一方は、Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N(0≦x<1)からなる端面膜を形成する工程後、アニールを行う工程を備えている。さらに、Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>Nは0.01≦x≦0.3とする。
請求項（抜粋）：
n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層の間に窒化物半導体からなる活性層を備えた窒化物半導体レーザ素子において、前記レーザ素子の対向する共振器端面のうちの少なくとも一方は、Al<SB>x</SB>Ga<SB></SB><SB>1-x</SB>N(0≦x<1)からなる端面膜を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
H01S 5/343 610 ,  H01S 5/028
FI (2件)：
H01S 5/343 610 ,  H01S 5/028
Fターム (11件)：
5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB14 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073DA25 ,  5F073EA28
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM