特許
J-GLOBAL ID：200903056277563887
半導体パワーモジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-120028
公開番号（公開出願番号）：特開2007-294626
出願日： 2006年04月25日
公開日（公表日）： 2007年11月08日
要約：
【課題】環境の問題で、Pbフリーはんだの使用が必須になった。パワーモジュールは大面積基板のはんだ付けであり、基板の反りを伴う大変形に対してクリープ変形し難いSn-3Ag-0.5Cu では、温度サイクル試験に対して、寿命低下が顕著に起きることが分かり、従来型モジュール構造では高信頼性の確保が困難な状況にある。そこでSn系はんだの中で、温度サイクル試験を行い、低歪速度下で寿命向上が期待できる組成の選定を行うことを課題とする。【解決手段】Sn系はんだにおいて、Inを3〜7%、Agを2〜4.5% 添加することで低歪速度において、クラック進展を遅延させる効果を見出し、高温でも安定な代表組成として、Sn-3Ag-0.5Cu-5In を選定した。更に、高信頼化のため、はんだ端部を樹脂で部分塗布する方法を示した。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
ベース基板とセラミック絶縁基板及び半導体チップとがはんだで接続されてなる半導体パワーモジュールにおいて、
前記セラミック絶縁基板とベース基板とのはんだ付けに、Ag:2〜4.5mass%,
Cu:0〜2.0mass% ,In:3〜7mass%、残りがSnからなる鉛フリーはんだを用いたことを特徴とする半導体パワーモジュール。
IPC (2件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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