特許
J-GLOBAL ID：200903056287647647
太陽電池およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小山 有
, 片岡 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-298422
公開番号（公開出願番号）：特開2007-109842
出願日： 2005年10月13日
公開日（公表日）： 2007年04月26日
要約：
【課題】 高い光電変換効率を有すると共に経年変化がなく信頼性の高い太陽電池を実現する。【解決手段】 基板1(サブストレート)上に形成された下部電極層2(Mo電極層)と、銅・インジウム・ガリウム・セレンを含む光吸収層3(CIGS光吸収層)と、光吸収層3の上に、InS、ZnS、CdS等で形成される高抵抗のバッファ層薄膜4と、ZnOAl等で形成される上部電極層5(TCO)とから1つの単位となるセル10(単位セル)が形成され、さらに、複数の単位セル10を直列接続する目的で、上部電極層5と下部電極層2とを接続するコンタクト電極部6が形成される。このコンタクト電極部6は、後述するように、光吸収層3のCu/In比率よりも、Cu/In比率が大きく、言い換えると、Inが少なく構成されており、p型半導体である光吸収層3に対してp+(プラス)型もしくは導電体の特性を示している。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板上に形成された導電層を分割してなる複数の下部電極と、
前記複数の下部電極上に形成され複数に分割されたカルコパイライト型の光吸収層と、
前記光吸収層上に形成された透明な導電層である複数の上部電極と、
前記下部電極と光吸収層と上部電極にて構成される単位セルを直列接続すべく前記光吸収層の一部を光吸収層より導電性を高めるように改質してなるコンタクト電極部とを有することを特徴とする太陽電池。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F051AA10
, 5F051FA06
, 5F051FA17
, 5F051FA30
, 5F051GA03
, 5F051JA06
出願人引用 (2件)
審査官引用 (7件)
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