記憶装置及び記憶方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人第一国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-286108
公開番号（公開出願番号）：特開2008-102819
出願日： 2006年10月20日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：

【課題】フラッシュメモリを用いた記憶装置において、フラッシュメモリチップ内に寿命が尽きるなど一部分に障害が生じても、障害が生じた分のフラッシュメモリを、フラッシュドライブや、フラッシュドライブ内のフラッシュモジュールで追加することで、記憶装置全体の容量を維持することを可能にする。【解決手段】半導体メモリ素子全体容量よりも小さい機能容量単位109を備え、機能容量単位毎に書き込み寿命を持つ半導体メモリ素子107を複数個有するメモリ素子ユニット105を2以上搭載した記憶装置101において、寿命が尽きて書き込み不可能と判断される機能容量単位のみを他のメモリ素子ユニットのメモリ素子の機能容量単位に代替させ、装置全体の所定の容量を維持する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体メモリ素子全体容量よりも小さい機能容量単位を備え、機能容量単位毎に書き込み寿命を持つ半導体メモリ素子を複数個有するメモリ素子ユニットを2以上搭載した記憶装置において、一のメモリ素子ユニットの半導体メモリ素子のうちの、書き込み寿命が尽きて書き込み不可能と判断される機能容量単位のみを他のメモリ素子ユニットの半導体メモリ素子の機能容量単位に代替させ、装置全体の所定の容量を維持することを特徴とする記憶装置。

IPC (3件)：

G06F 12/16 , G06F 3/08 , G06F 3/06

FI (4件)：

G06F12/16 310A , G06F12/16 310Q , G06F3/08 H , G06F3/06 306B

Fターム (17件)：

5B018GA06 , 5B018HA23 , 5B018HA24 , 5B018HA35 , 5B018KA18 , 5B018MA22 , 5B018NA06 , 5B018QA15 , 5B065BA05 , 5B065CA30 , 5B065CC02 , 5B065CC03 , 5B065EA02 , 5B065EA12 , 5B065EA27 , 5B065EK06 , 5B065ZA02

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体ディスク装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-264725 出願人：株式会社東芝
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-042581 出願人：株式会社日立製作所
半導体メモリ素子の冗長アレイ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-287375 出願人：レイモンド・エンジニアリング・インコーポレイテツド

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