特許
J-GLOBAL ID：200903056346178478

薄膜及びトリシランを用いる薄膜の形成方法

発明者：
トッド マイケル エイ.

トッド マイケル エイ. について

, 
ラアイマケルス イボ

ラアイマケルス イボ について


出願人/特許権者：
エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド

エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド について


代理人 (5件)： 三枝 英二 ,  舘 泰光 ,  眞下 晋一 ,  松本 公雄 ,  立花 顕治
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-564165
公開番号（公開出願番号）：特表2004-523903
出願日： 2002年02月12日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：
シリコン源として、トリシランを用いることによる、薄い、滑らかなSi含有フィルムの成膜方法を提供する。好ましい実施の形態によれば、本発明に係る方法によって得られるSi含有フィルムは、連続しており、厚さが約150Å以下、表面粗さが約5Årms以下、厚さの不均一性が約20%以下である。好ましいSi含有フィルムは、別の元素でドープ又は合金化された場合、高い組成の均一性を示す。好ましい実施の形態によって、生産効率が改善され、この方法は、ウェッティング層(濡れ層)、HSGシリコン、量子ドット、絶縁体層、反射防止コーティング(ARC's)、ゲート電極及び拡散源などの様々な有益な構造を形成するのに適用することができる。
請求項（抜粋）：
所定の表面粗さを有する基板が配置された反応容器内に、トリシランを含むガスを導入するステップと、 前記反応容器内において、トリシランの化学気相成長条件を確立するステップと、 前記基板上に、Si含有フィルムを成膜するステップとを含み、 成膜される前記Si含有フィルムが、約1平方μm以上の表面積において、厚さが10〜150Åの範囲であり、表面粗さが前記基板の表面粗さより約5Årms以下だけ大きいことを特徴とする薄いフィルムの成膜方法。
IPC (2件)：
H01L21/205 ,  C23C16/24
FI (2件)：
H01L21/205 ,  C23C16/24
Fターム (27件)：
4K030AA06 ,  4K030AA07 ,  4K030AA20 ,  4K030BA24 ,  4K030BA25 ,  4K030BA26 ,  4K030BA27 ,  4K030BA30 ,  4K030BB00 ,  4K030BB03 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA10 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AC00 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AF07 ,  5F045BB02
引用特許：
審査官引用 (12件)
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