特許
J-GLOBAL ID：200903066353934720
半導体装置およびその作製方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-033838
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299470
出願日： 2000年02月10日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：
【要約】【課題】 TFT特性の高い半導体装置を実現する。【解決手段】 半導体薄膜に対するレーザー光の照射による結晶化工程において、レーザー光を選択的に照射する。例えば、アクティブマトリクス型の表示装置の作製方法において、ドライバー領域103のみに対してレーザー光を照射する。こうして、結晶質半導体膜からなるドライバー領域103と非晶質半導体膜からなる画素領域102を備えた信頼性の高い表示装置(液晶表示装置、EL表示装置等)を得ることができる。
請求項（抜粋）：
同一基板上に形成されたドライバー回路と画素部とを有する半導体装置において、前記ドライバー回路に含まれる少なくとも一つのTFTのチャネル形成領域は、結晶質半導体膜でなり、前記画素部に含まれるTFTのチャネル形成領域は、非晶質半導体膜でなることを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 29/786
, G02F 1/1368
, G09F 9/30 338
, G09F 9/30 365
, H01L 21/20
, H01L 21/203
, H01L 21/336
H01L 29/78 612 B
, G09F 9/30 338
, G09F 9/30 365 Z
, H01L 21/20
, H01L 21/203 S
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 627 G
