半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：則近憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-148397
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017947
出願日： 1994年06月30日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】本発明の半導体装置は、高電圧を印加してトンネル電流を流す部分の膜を除去し、真空あるいは気体を充填し、キャリアトラップを生じない、すなわち書込み/消去により劣化しない膜を構成することを目的とする。【構成】半導体基板と電荷蓄積層との間に少なくとも一部が真空あるい気体になっている半導体装置。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に電荷蓄積層と制御ゲートが積層形成された電気的書替え可能なメモリセルをマトリックス配置してなるセルアレイを備えた半導体装置において、前記半導体基板と電荷蓄積層の間の少なくとも一部が真空あるいは気体になっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (9件)

不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-262227 出願人：株式会社東芝
特開平4-158582
半導体記憶装置の駆動方式
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-331851 出願人：ローム株式会社

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