特許
J-GLOBAL ID：200903056534076623

積層セラミックコンデンサ

発明者：
山口 勝義

山口 勝義 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-148598
公開番号（公開出願番号）：特開2009-260200
出願日： 2008年06月05日
公開日（公表日）： 2009年11月05日
要約：
【課題】 高誘電率かつ安定な比誘電率の温度特性を示すとともに、誘電分極が小さく、かつ耐熱衝撃性の良い積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】 チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子を有し、イットリウム、マンガン、マグネシウムおよびイッテルビウムを酸化物換算で所定の割合で含有するとともに、結晶粒子を構成する結晶相が立方晶を主体とするものであり、かつその結晶粒子の平均粒径が0.05〜0.2μmであり、内部電極層の周縁部に存在するマグネシウムの濃度が前記誘電体層の中央部に存在するマグネシウムの濃度の2倍以上である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
誘電体層と内部電極層とが交互に積層されたコンデンサ本体と、該コンデンサ本体の前記内部電極層が露出した端面に設けられた外部電極とを有する積層セラミックコンデンサであって、前記誘電体層が、チタン酸バリウムを主成分とする結晶相を主たる結晶相とし、該結晶相が立方晶を主体とする結晶構造を有するとともに、前記結晶相を構成する結晶粒子の平均粒径が0.05〜0.2μmであり、イットリウム、マンガン、マグネシウムおよびイッテルビウムを含有する誘電体磁器からなり、前記内部電極層の周縁部にはマグネシウムが存在しており、前記内部電極層の周縁部に存在するマグネシウムの濃度が前記誘電体層の中央部に存在するマグネシウムの濃度の2倍以上であるとともに、前記積層セラミックコンデンサを溶解させたときの元素の含有量が、バリウム1モルに対して、イットリウムがYO3/2換算で0.0014〜0.03モル、マンガンがMnO換算で0.0002〜0.045モル、マグネシウムがMgO換算で0.0075〜0.04モル、イッテルビウムがYbO3/2換算で0.025〜0.18モルであることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
IPC (3件)：
H01G 4/12 ,  C04B 35/46 ,  H01G 4/30
FI (4件)：
H01G4/12 358 ,  C04B35/46 D ,  H01G4/12 349 ,  H01G4/30 301E
Fターム (18件)：
4G031AA03 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA11 ,  4G031AA19 ,  4G031BA09 ,  4G031CA04 ,  4G031GA10 ,  4G031GA11 ,  4G031GA17 ,  5E001AB03 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5E082AB03 ,  5E082FG26 ,  5E082PP03
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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