特許
J-GLOBAL ID：200903056571388295

配線基板

発明者：
永井 誠

永井 誠 について

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谷森 健悟

谷森 健悟 について

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兼山 直樹

兼山 直樹 について


出願人/特許権者：
日本特殊陶業株式会社

日本特殊陶業株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-005392
公開番号（公開出願番号）：特開2008-172113
出願日： 2007年01月15日
公開日（公表日）： 2008年07月24日
要約：
【課題】発光素子の搭載面を有する複数のセラミック層からなり、前記発光素子の熱を効率良く放熱でき、且つ所要の回路の配線層を容易に配置できると共に、簡単で且つ少ない工程で製造が可能な配線基板を提供する。【解決手段】LED(発光素子)10の搭載面6を有する第1セラミック層s1(s1a,s1b)と、金属成分を含有し且つ上記第1セラミック層s1の搭載面6の反対である下層側に積層され、かかる第1セラミック層s1よりも熱伝導率が高い第2セラミック層s2と、上記搭載面6に形成され且つ表層にAgメッキ膜18およびAuメッキ膜19の少なくとも一方が被覆されているパッド(導体)8,9と、を含み、上記第1セラミック層s1は、側面7aおよび前記LED(発光素子)10の搭載面6を有するキャビティ5aを備え、かかる搭載面6に上記パッド8,9が形成されている、配線基板1a。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
発光素子の搭載面を有する第1セラミック層と、 金属成分を含有し且つ上記第1セラミック層の搭載面の反対側に積層され、かかる第1セラミック層よりも熱伝導率が高い第2セラミック層と、 上記搭載面に形成され且つ表層にAgメッキ膜およびAuメッキ膜の少なくとも一方が被覆されている導体と、を含む、 ことを特徴とする配線基板。
IPC (3件)：
H05K 3/46 ,  H01L 23/36 ,  H01L 33/00
FI (5件)：
H05K3/46 U ,  H05K3/46 Q ,  H05K3/46 H ,  H01L23/36 C ,  H01L33/00 N
Fターム (45件)：
5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA32 ,  5E346AA38 ,  5E346AA42 ,  5E346AA43 ,  5E346BB01 ,  5E346BB20 ,  5E346CC02 ,  5E346CC17 ,  5E346CC19 ,  5E346CC35 ,  5E346CC36 ,  5E346CC37 ,  5E346CC38 ,  5E346CC39 ,  5E346DD02 ,  5E346DD13 ,  5E346DD34 ,  5E346DD45 ,  5E346EE24 ,  5E346EE29 ,  5E346FF18 ,  5E346FF22 ,  5E346FF35 ,  5E346FF45 ,  5E346GG04 ,  5E346GG05 ,  5E346GG06 ,  5E346GG09 ,  5E346GG10 ,  5E346GG15 ,  5E346GG17 ,  5E346HH17 ,  5E346HH32 ,  5F041AA33 ,  5F041DA12 ,  5F041DA34 ,  5F041DA35 ,  5F041DA36 ,  5F136BB07 ,  5F136DA33 ,  5F136FA04 ,  5F136FA12 ,  5F136FA62
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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