磁気ランダムアクセスメモリ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-119366
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318367
出願日： 2002年04月22日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【課題】アセンブリ後に、MRAMのTMR素子の特性を修正する。【解決手段】 TMR素子23の直下には、書き込みワード線20Bが配置される。書き込みワード線20Bは、X方向に延び、その側面及び下面は、硬磁性体51及びヨーク材25Bにより覆われている。硬磁性体51は、書き込みワード線20Bに流す過剰電流により磁化され、その残留磁化により、TMR素子23の特性が修正される。TMR素子23の直上には、データ選択線(読み出し/書き込みビット線)24が配置される。データ選択線24は、X方向に交差するY方向に延び、その表面の一部は、ヨーク材27により覆われている。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上部に形成され、磁気抵抗効果を利用してデータを記憶するメモリセルと、前記メモリセルの直下に配置され、第1方向に延びる第1書き込み線と、前記メモリセルの直上に配置され、前記第1方向に交差する第2方向に延びる第2書き込み線と、前記第1書き込み線の表面の一部を覆う硬磁性体とを具備することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。

IPC (2件)：

H01L 27/105 , H01L 43/08

FI (2件)：

H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

Fターム (13件)：

5F083FZ10 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA56 , 5F083JA60 , 5F083LA03 , 5F083LA10 , 5F083MA05 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083NA01

引用特許：

審査官引用 (5件)

センス層における磁化の混乱を防ぐ構造要素を有する磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-018564 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
磁気抵抗メモリ装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-367145 出願人：ヤマハ株式会社
メモリセル装置及び該メモリセル装置の製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-565541 出願人：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト

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