特許
J-GLOBAL ID：200903056681596993

貼り合わせ基板の製造方法

発明者：
飛坂 優二

飛坂 優二 について

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久保田 芳宏

久保田 芳宏 について

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伊藤 厚雄

伊藤 厚雄 について

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田中 好一

田中 好一 について

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川合 信

川合 信 について

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秋山 昌次

秋山 昌次 について

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田村 博

田村 博 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-102150
公開番号（公開出願番号）：特開2009-253184
出願日： 2008年04月10日
公開日（公表日）： 2009年10月29日
要約：
【課題】基板全面、特に、貼り合わせ終端部近傍においても良好な薄膜を有する貼り合わせ基板を製造する方法を提供する。【解決手段】半導体基板である第1の基板10の表面から水素イオン又は希ガスイオンあるいはこれらの両方を注入してイオン注入層11を形成する工程と、イオン注入した面12と第2の基板20の貼り合わせる面22の少なくとも一方の面に表面活性化処理を施す工程と、イオン注入した面12と貼り合わせる面22との貼り合わせを行う際、第1の基板10、第2の基板20の少なくとも一方を加熱して貼り合わせる貼り合わせ工程と、第1の基板10を前記イオン注入層11にて離間させ、第1の基板を薄膜化する剥離工程とにより、第2の基板20の上に薄膜31を有する貼り合わせ基板を製造する。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
第1の基板と第2の基板を貼り合わせ、前記第1の基板を薄膜化し、前記第2の基板の上に薄膜を有する貼り合わせ基板を製造する方法であって、少なくとも、 半導体基板である前記第1の基板の表面から水素イオン又は希ガスイオンあるいはこれらの両方を注入してイオン注入層を形成する工程と、 前記第1の基板のイオン注入した面と前記第2の基板の貼り合わせる面の少なくとも一方の面に表面活性化処理を施す工程と、 前記第1の基板のイオン注入した面と前記第2の基板の貼り合わせる面との貼り合せを行う際、前記第1の基板、前記第2の基板の少なくとも一方を加熱して貼り合わせる貼り合わせ工程と、 前記第1の基板を前記イオン注入層にて離間させ、前記第1の基板を薄膜化する剥離工程と により、前記第2の基板の上に薄膜を有する貼り合わせ基板を製造することを特徴とする貼り合わせ基板の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/762 ,  H01L 21/265
FI (4件)：
H01L27/12 B ,  H01L21/76 D ,  H01L21/02 B ,  H01L21/265 Q
Fターム (9件)：
5F032AA91 ,  5F032CA05 ,  5F032CA09 ,  5F032DA21 ,  5F032DA41 ,  5F032DA53 ,  5F032DA60 ,  5F032DA71 ,  5F032DA74
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (7件)
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