特許
J-GLOBAL ID：200903056755932230

多層配線基板の製造方法及び多層配線基板

発明者：
谷 元昭

谷 元昭 について

, 
佐々木 伸也

佐々木 伸也 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 奥山 雄毅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-090421
公開番号（公開出願番号）：特開2007-049116
出願日： 2006年03月29日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：
【課題】 多層配線基板の絶縁樹脂層と平滑配線層間の間で高い密着性を得ることのできる配線形成方法を提供するとともに、高い密着性を有する配線構造を有する多層配線基板を提供する。【解決手段】支持基板10上に絶縁樹脂層20と配線パターン45とを1層づつ交互に積み上げ、更にインナービアホール50を有する多層配線基板1の絶縁樹脂層20に、金属製の金属箔70に塗布した少なくともメルカプト基及び/又はスルホン酸基が含まれる化合物を含む化合物層を転写して、絶縁樹脂層20と配線パターン45との間に少なくともメルカプト基及び/又はスルホン酸基が含まれる化合物を含む化合物層30を形成し、凸凹等によるアンカー効果ではなく、化合物層30によって絶縁樹脂層20と配線パターン45とを密着性を持って積層する多層配線基板1の製造方法及びこれによって製造された多層配線基板1である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
支持基板上に絶縁層と配線パターンを交互に積み上げる多層配線基板の製造方法において、 少なくともメルカプト基及び/又はスルホン酸基が含まれる化合物を含む化合物層を表面に処理した金属箔を、前記絶縁層表面に貼り合わせる工程と、 前記メルカプト基及び/又はスルホン酸基が含まれる化合物を含む化合物層を前記絶縁層表面に転写する工程と、 転写された前記化合物層上に金属薄膜を形成する工程と、を有する ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
IPC (2件)：
H05K 3/46 ,  H05K 3/38
FI (3件)：
H05K3/46 T ,  H05K3/38 A ,  H05K3/46 B
Fターム (9件)：
5E343AA38 ,  5E343DD33 ,  5E343EE56 ,  5E343GG01 ,  5E346AA12 ,  5E346AA16 ,  5E346CC08 ,  5E346DD23 ,  5E346HH11
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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